ВЛАСОВ Юрий Николаевич / Vlasov Yury N.

Должность: доцент

Образование: высшее, Воронежский государственный университет

Ученая степень: кандидат физико-математических наук

ORCID: 0000-0001-6733-5399

Researcher ID: A-8450-2014

Scopus Autor ID: 34873839600

РИНЦ Autor ID: SPIN-код: 3723-4379
Author ID: 97593

Педагогический стаж (лет): 16

Общий стаж работы (лет): 16

Преподаваемые дисциплины:

физика
концепции современного естествознания

Повышение квалификации:

Педагогика высшей школы, Диплом о профессиональной переподготовке, 05.07.2018, 362407525629, рег. № ПП-1603-246, ИДО ВГУИТ, ПП, 1044 ч.
Безопасность и охрана труда, Удостоверение о повышении квалификации, 25.10.2019, 363101050125, рег. № 160303-111, УМЦ ИПЭк ВГУИТ, ПК, 72 ч.
Удостоверение №91 ПЗ № 012491 о проверке знаний пожарно-технического минимума, 10.09.2019, АНО ДПО «УрИПКиП», 28 ч.
Современные ИКТ-компетенции педагога в условиях реализации ФГОС и цифровой трансформации образования, Удостоверение о повышении квалификации, 21.12.2021, 362413714641, рег. № 211253, ФГБОУ ВО ВГТУ, ПК, 72 ч.
Охрана здоровья обучающихся: оказание первой помощи, Удостоверение о повышении квалификации, 05.08.2022, 592415285272, рег. № 1902, Пермь, АНО ДПО «УрИПКиП», 36 ч.
Безопасность и охрана труда, Удостоверение о повышении квалификации, 13.06.2023, 363101689387, рег. № ПК-1603-225, ФГБОУ ВО ВГУИТ, ПК, 72 ч.

Область научных интересов: Физика полупроводников, физико-химические процессы в неоднородных средах

Публикации: соавтор более 85 научных публикаций, включая 5 по педагогике высшей школы и 2 учебных пособия.

Основные публикации:

ВЛИЯНИЕ ОБРАБОТКИ В ПАРАХ СЕЛЕНА НА ДЕФЕКТЫ ПРИПОВЕРХНОСТНОЙ ОБЛАСТИ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ Безрядин Н.Н., Котов Г.И., Власов Ю.Н., Стародубцев А.А., Bhatnagar P.K., Mathur P.C. Известия вузов. Физика. 2009. Т. 52. № 4. С. 72-76.
МЕТОДИКА РЕГИСТРАЦИИ И АНАЛИЗА ИЗОТЕРМИЧЕСКОЙ РЕЛАКСАЦИИ ЕМКОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР Безрядин Н.Н., Котов Г.И., Каданцев А.В., Васильева Л.В., Власов Ю.Н. Приборы и техника эксперимента. 2010. № 3. С. 119-122.
ВЛИЯНИЕ ФИНИШНОЙ ПОДГОТОВКИ ПОВЕРХНОСТИ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ НА СПЕКТР ЭЛЕКТРОННЫХ СОСТОЯНИЙ n-GaAs(100) Безрядин Н.Н., Котов Г.И., Арсентьев И.Н., Власов Ю.Н., Стародубцев А.А. Физика и техника полупроводников. 2012. Т. 46. № 6. С. 756-760.
ПАССИВАЦИЯ ПОВЕРХНОСТИ GaP(111) ОБРАБОТКОЙ В ПАРАХ СЕЛЕНА Безрядин Н.Н., Котов Г.И., Арсентьев И.Н., Кузубов С.В., Власов Ю.Н., Панин Г.А., Кортунов А.В. Письма в Журнал технической физики. 2014. Т. 40. № 3. С. 20-26.
ФОРМИРОВАНИЕ ТОНКИХ ПЛЕНОК СОЕДИНЕНИЙ Cu₂SnS₃ И Cu₂SnSe₃Буданов А.В., Власов Ю.Н., Котов Г.И., Руднев Е.В., Подпругин П.И. Конденсированные среды и межфазные границы. 2019. Т. 21. № 1. С. 24-29.
ПОВЫШЕНИЕ СТЕПЕНИ ЦИРКУЛЯРНОЙ ПОЛЯРИЗАЦИИ СПИНОВЫХ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИХ ДИОДОВ ПУТЕМ ОБРАБОТКИ В ПАРАХ СЕЛЕНА Дорохин М.В., Дёмина П.Б., Буданов А.В., Власов Ю.Н., Котов Г.И., Здоровейщев А.В., Трушин В.Н., Звонков Б.Н. Письма в Журнал технической физики. 2019. Т. 45. № 5. С. 52-55.
HETEROJUNCTION p-Cu₂SnS₃/n-ZnO Budanov A.V., Vlasov Y.N., Kotov G.I., Synorov Y.V., Pankov S.Y., Rudnev E.V., Ternovaya V.E., Ivkov S.A. Chalcogenide Letters. 2020. Т. 17. № 9. С. 457-459.
ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ГЕТЕРОСТРУКТУР In₂Se₃/InAs Буданов А.В., Власов Ю.Н., Котов Г.И., Бурцев А.А., Руднев Е.В. В сборнике: АКТУАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ В МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКЕ. МЕЖВУЗОВСКИЙ СБОРНИК НАУЧНЫХ ТРУДОВ. Воронеж, 2022. С. 24-30.

Награды:

Почётная грамота за успехи по развитию и совершенствованию образовательного процесса, практической подготовки студентов, учебно-воспитательного процесса и активную помощь в развитии материально-технической базы приказ ВГУИТ от 08.06.2015 № 70/кс
Благодарность за многолетний труд и весомый вклад в развитие ВГУИТ приказ от 28.09.20 № 186

Организационная работа: Референт кафедры

Контактная информация: E-mail: youramail@mail.ru

Дополнительная информация: В 2012 году защитил диссертацию «Электронные состояния в GaAs и в гетероструктурах Ga2Se3/GaAs» на соискание учёной степени к.ф.-м.н