Воронежский государственный университет инженерных технологий
Горячая линия
Стань инженером своего будущего!
Звонок по России бесплатный
  • Образование: высшее, ГОУ ВПО «Воронежский государственный технический университет», физико-технический факультет, 2000 г.
  • Квалификация: инженер-металлург
  • Педагогический стаж (лет): 18
  • Общий стаж работы (лет): 24
  • Преподаваемые дисциплины: Статистика
  • Повышение квалификации:
    • Удостоверение о повышении квалификации 363101214142, рег. № ПК-1603-2499 от 24.12.2020, "Веб-разработка. Базовый уровень", 72 часа, ФГБОУ ВО ВГУИТ, г. Воронеж
    • Удостоверение о повышении квалификации 21У150-06081 от 24.05. 2021, "Цифровые технологии в преподавании профильных дисциплин", 144 часов, АНО ВО "Университет Иннополис", г. Иннополис
    • Удостоверение о повышении квалификации № 4648/21-45, 2021 г., "Тренды развития дополнительного профессионального образования и его документационного обеспечения", Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
    • Удостоверение о повышении квалификации 363101689474, рег. № ПК-1603-369 от 15.09.2023, «Безопасность и охрана труда (для педагогических работников)», 72 ч., ИДО ФГБОУ ВО "ВГУИТ"
  • Область научных интересов: Инновационная деятельность университета; Структура и морфология поверхности эпитаксиальных пленок Cu2Sе и CuInSe2.
  • Публикации: 37 научных работ, в том числе, 5 статей – Web of Science и Scopus, 15 статей – ВАК, 4 учебно-методические работы, 8 - патентов на изобретение, IH по РИНЦ - 4
  • Основные публикации:
    • Инновационная деятельность университета при взаимодействии с реальным сектором экономики. Попов В.Н., Харин А.Н., Жукалин Д.А. Высшее образование в России. 2018. Т. 27. № 8-9. С. 111-116.
    • FORMATION OF SI NANOCRYSTALS IN LP CVD SEMI-INSULATING POLYCRYSTALLINE SILICON FILMS. Domashevskaya E.P., Terekhov V.A., Parinova E.V., Sinelnikov A.A., Kharin A.N., Prizhimov A.S., Turishchev S.Y. Materials Science and Engineering: B. 2020. Т. 259. С. 114575.
    • ATOMIC AND ELECTRONIC STRUCTURE OF AMORPHOUS AND NANOCRYSTALLINE LAYERS OF SEMI-INSULATING SILICON PRODUCED BY CHEMICAL-VAPOR DEPOSITION AT LOW PRESSURES. Domashevskaya E.P., Terekhov V.A., Turishchev S.Y., Prijimov A.S., Kharin A.N., Parinova E.V., Rumyantseva N.A., Usoltseva D.S., Fomenko Y.L., Belenko S.V. Journal of Surface Investigation: X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques. 2015. Т. 9. № 6. С. 1228-1236.
  • Награды:
    • Почетная грамота Департамента Промышленности Воронежской Области (2016 г.)
    • Грамота за многолетнюю плодотворную научно-педагогическую деятельность и в связи со 100-летием Воронежского государственного университета. Союз Машиностроителей (2018 г.)
    • Благодарственное письмо Министерства науки и высшего образования РФ за качественную организацию профессионального обучения участников студенческих отрядов по итогам 2021 и 2022 годов (2022 г.)
  • Контактная информация: тел.: +7 (473) 290-26-79 , e-mail: kharin@ido-vguit.ru
  • Дополнительная информация: Директор Института дополнительного образования ВГУИТ
  • Должность: доцент
  • Ученая степень: кандидат физико-математических наук
  • ORCID: 0000-0003-3689-2859
  • Scopus Autor ID: 57207347502
  • РИНЦ Autor ID: 110380